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射釘擊發器斷路器電容器參數的選擇

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射釘擊發器斷路器電容器參數的選擇

發布日期:2017-01-11 00:00 來源:http://www.zntkmw.live 點擊:

射釘擊發器斷路器電容器參數的選擇

   摘 要:斷路器電容器與斷路器的斷口相并聯,用以改善斷口上的電壓散布及下降恢復電壓的上升率。這篇文章介紹了選擇斷路器電容器的額定電壓和額定電容量的辦法。


  我國對500kV斷路器盡緣水平的劃定值見表2[2]。

  由表2可見,500kV斷路器的盡緣水等分為四級,即根柢沖擊水等分為1425、1550和1675kV三級;根柢操作沖擊水等分為1050和1175kV兩級;1min相對地工頻耐壓分為630、680和740kV三級。必需注重的是:斷路器斷面實驗電壓比相對地實驗電壓要高。

 在拔取斷路器電容器時,還應憑證表2對盡緣水平進行校核。以上述500kV斷路器為例,每一個斷口的1min工頻實驗電壓為790/2=395kV。每一個斷口的雷電沖擊實驗電壓最高為(1675+315)/2=995kV。操作沖擊實驗電壓最高為(1050+450)/2=750kV。而由表1可知,額定電壓為180kV的斷路器電容器可以耐受1min工頻實驗電壓為460kV,雷電沖擊電壓為1110kV,操作沖擊電壓為760kV。都年夜于500kV斷路器的照顧的耐受電壓,所以拔取斷路器電容器的額定電壓為180kV能滿意懇求。

3 額定電容量的拔取

  當斷路器開斷接地時,其結構見圖1,計較斷口電壓散布的等值電路見圖2。

  未并聯斷路器電容器時:


  一般地,Ce和Cc為幾十個悄然法,相差不年夜,若取Cc=Ce,則U1=2U/3,U2=U/3。第一個斷口承受的電壓是第二個斷口的兩倍。

  斷口并聯斷路器電容器C后:

  斷路器電容器的電容量C為幾千個皮法[3],遠遠年夜于斷路器斷口電容Cc,是以U1≈0.5U,U2≈0.5U。

  可以看出,斷路器加裝斷路器電容器往后,各個滅弧室(斷口)的電壓散布根柢均勻。

  斷路器電壓等第的前進可以經由進程滅弧室(斷口)的串聯來結束。串聯的斷口增加后,要做到電壓徹底均勻分配在每一個斷口上,需求并聯電容量很年夜的斷路器電容器,這是很不經濟的。實習上,可以容許各斷口電壓之間有必定的區別,凡是用不均勻系數n來暗示。所謂不均勻系數就是指斷口上實習承受的電壓與電壓均勻分配時每個斷口上承受的電壓的比值[1]。一般r≤1.1。

  下面區別以兩斷口和四斷口斷路器為例,區別說明若何拔取額定電容量。

(1)兩斷口斷路器

  比力式(5)與式(6)可見:U1>U2,即第二個斷口上的電壓小于0.5U,是以只需計較第一個斷口的電壓不均勻系數即可。

  第一個斷口的不均勻系數r1滿意:


(2)四斷口斷路器

  將兩個兩斷口斷路器串聯,并且在基地增加一個支持盡緣子柱,就形成了一個四斷口斷路器。圖3是四斷口斷路器的等效電路圖。明顯四斷口時電壓散布比兩斷口時更不均勻。

 為了計較利便,對原電路進行Δ→Y變換(見圖4),取得等效電路圖(圖5)。

每一個斷口都并聯斷路器電容器C后,


  憑證履歷,假定Ce1=Ce3=3Cc,Ce2=Cc,Ch=Cc/3。表3中給出了斷路器電容器電容量C改動時各斷口的不均勻系數r的值。

  計較成效批注,當斷路器電容器的電容量C=20Cc時,不均勻系數已小于1.1,可以滿意均壓的懇求。

  若疏忽斷口間的電容Ch,各斷口的不均勻系數見表4。

  這類情況下,當斷路器電容器的電容量C=90Cc時,不均勻系數已小于1.1。

  比照表3和表4,可以看出:如果疏忽斷口間的電容Ch,計較所得的斷路器電容器的電容量要比酌量Ch時的年夜。

  事實上,斷路器電容器除具有均壓效果以外,還具有下降恢復電壓上升率的效果。是以國標GB/T4787-1996推薦的額定電容值均不小于1000pF,比上述按均壓懇求算得的值要年夜(選用陶瓷電容器時,因為制作年夜電容量的電容器有堅苦,其電容值一般均為數百悄然法)。

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